63-7020-26 IRF9335TRPBF P 채널 MOSFET, 5.4A, 30V HEXFET, 8핀 SOIC Infineon IRF9335TRPBF
기능
- P Channel Power MOSFET 30 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include a P channel device in a reed surface mount package and a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
사양
- 수량:1백(25개)
- 채널 유형: P
- 최대 연속 드레인 전류: 5.4암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 110옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 2.4V
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.3V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: 소셜
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 2.5와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:130-0969
| 주문 번호 | 63-7020-26 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRF9335TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,430
USD: 8.96
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(25pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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