63-7020-21 IRF7907TRPBF 이중 N-채널 MOSFET, 9.1A, 11A, 30V HEXFET, 8핀 SOIC Infineon IRF7907TRPBF
기능
- Dual N-Channel Power MOSFETs Infineon
- Infineon dual power MOSFETs integrate two HEXFETR devices to provide a space-saving and cost-effective switching solution for high component density designs where substrate space is paramount. Various packaging options allow designers to choose a dual N-channel configuration.
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 9.1A, 11A
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 13.7옴, 20.5옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 2.35볼트
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.35볼트
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: 소셜
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 2와트
- 계열: 육각형
- 코드 번호:130-0964
| 주문 번호 | 63-7020-21 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRF7907TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,850
USD: 11.51
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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