63-7020-14 [단종]IRF7779L2TRPBF N-채널 MOSFET, 67A, 150V DirectFET, HEXFET, 9 + 탭 핀 L8 Infineon IRF7779L2TRPBF
기능
- DirectFETR Power MOSFET, Infineon The DirectFETR power package uses surface-mounted power MOSFET packaging technology. The DirectFETR MOSFET is a solution that reduces the footprint designed for advanced switching applications while reducing the amount of energy loss.
- Industry's lowest on-resistance contained in the appropriate footprint Very low package resistance minimizes conductive loss Very efficient double-sided cooling significantly improves power density, cost and reliability. Low profile of only 0.7 mm
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 67암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 150볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 11옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 5V
- 최소 게이트 임계값 전압: 3V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: L8
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 9 + 탭
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 125와트
- 최대 작동 온도 +175°C
- 코드 번호:130-0957
| 주문 번호 | 63-7020-14 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRF7779L2TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 590
USD: 3.67
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]IRF7779L2TRPBF N-채널 MOSFET, 67A, 150V DirectFET, HEXFET, 9 + 탭 핀 L8 Infineon IRF7779L2TRPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/7020/14/63702014.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)