Infineon

63-7019-99 [단종]IRF3717TRPBF N-채널 MOSFET, 20A, 20V HEXFET, 8핀 SOIC Infineon IRF3717TRPBF

기능

  • N-Channel Power MOSFET 12 → 25 V, Infineon
  • Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a reed surface mount package and a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.

사양

  • 수량:1백(10개)
  • 채널 유형: N
  • 최대 연속 드레인 전류: 20 A
  • 최대 드레인 소스 전압: 20볼트
  • 최대 드레인 소스 저항: 5.7옴
  • 최대 게이트 임계값 전압: 2.45볼트
  • 최소 게이트 임계값 전압: 1.55볼트
  • 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
  • 패키지 유형: 소셜
  • 마운트 유형: 서피스 마운트
  • 핀 수: 8
  • 채널 모드: 향상
  • 범주: 파워 모스펫
  • 최대 전력 소비량: 2.5와트
  • 최소 작동 온도 섭씨 -55도
  • 코드 번호:130-0941
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주문 번호 63-7019-99
모델 번호 IRF3717TRPBF
표준 가격 JPY: 1,230 USD: 7.65
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(10pieces)
  단종
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