63-7019-81 ［단종］IPN60R1K0CEATMA1 N 채널 MOSFET, 6.8A, 650V CoolMOS CE, 3 + 탭 핀 SOT-223 Infineon IPN60R1K0CEATMA1
기능
- Infineon CoolMOS CE Power MOSFET
사양
- 수량:1백(25개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 6.8암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 650볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 1옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 3.5볼트
- 최소 게이트 임계값 전압: 2.5V
- 최대 게이트 소스 전압: -30V, +30V
- 패키지 유형: SOT-223
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 3 + 탭
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 5와트
- 최소 작동 온도 섭씨 -40도
- 코드 번호:130-0917
| 주문 번호 | 63-7019-81 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IPN60R1K0CEATMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,580
USD: 9.90
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(25pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |