Infineon

63-7019-71 IPD80R1K4P7ATMA1 N 채널 MOSFET, 4A, 800V CoolMOS P7, 3핀 DPAK Infineon IPD80R1K4P7ATMA1

기능

  • Infineon CoolMOSP7 Power MOSFET
  • The 800 V CoolMOSP7 power MOSFET family has established even higher efficiency and thermal characteristics. Suitable for applications such as power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power supplies.

사양

  • 수량:1백(5개)
  • 채널 유형: N
  • 최대 연속 드레인 전류: 4 A
  • 최대 드레인 소스 전압: 800볼트
  • 최대 드레인 소스 저항: 1.4옴
  • 최대 게이트 임계값 전압: 3.5볼트
  • 최소 게이트 임계값 전압: 2.5V
  • 최대 게이트 소스 전압: -30V, +30V
  • 패키지 유형: DPAK (TO-252)
  • 마운트 유형: 서피스 마운트
  • 핀 수: 3
  • 채널 모드: 향상
  • 범주: 파워 모스펫
  • 최대 전력 소비량: 32와트
  • 일반 게이트 충전 @ Vgs : 10nC @ 10V
  • 코드 번호:130-0906
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주문 번호 63-7019-71
모델 번호 IPD80R1K4P7ATMA1
표준 가격 JPY: 520 USD: 3.24
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(5pieces)
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공급자 재고