63-6990-75 IXFN360N15T2 N 채널 MOSFET, 310A, 150V GigaMOS TrenchT2 HiperFET, 4핀 SOT-227 IXYS IXFN360N15T2
기능
- N-Channel Power MOSFET, IXYS HiperFET GigaMOS Series
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 310암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 150볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 4옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 5V
- 최소 게이트 임계값 전압: 2.5V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: SOT-227
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 4
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 1.07킬로와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:125-8042
| 주문 번호 | 63-6990-75 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IXFN360N15T2 | |
| 표준 가격 |
JPY: 13,400
USD: 84.06
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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