63-6981-91 C3M0065100K SiC N-채널 MOSFET, 35A, 1000 V C3M, 4핀 TO-247 울프스피드 C3M0065100K
기능
- Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc
- New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET Technology Drain-to-Source Breakdown Voltage (Full Operating Temperature Range): 1000 V or More New Low Impedance Package (with Driver Source) Drain-to-Source Creepage Distance/Clearance: 8 mm Fast Switching at Low Power Capacitance High Voltage Avalanche Durability with Low ON Resistance Drain-to-Source High Speed Intrinsic Diode with Ultra-Low Reverse Recovery Loss
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 35 A
- 최대 드레인 소스 전압: 1000볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 90옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 3.5볼트
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.8V
- 최대 게이트 소스 전압: -8V, +19V
- 패키지 유형: TO-247
- 마운트 유형: 관통 구멍
- 핀 수: 4
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 113.5와트
- 최소 작동 온도 섭씨 -55도
- 코드 번호:125-3453
| 주문 번호 | 63-6981-91 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | C3M0065100K | |
| 표준 가격 |
JPY: 4,760
USD: 29.84
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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