63-5180-55 IXFN80N50P N 채널 MOSFET, 66A, 500V HiperFET, 폴라, 4핀 SOT-227B IXYS IXFN80N50P
기능
- N 채널 전원 MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ 시리즈. IXYS의 고속 내장 다이오드(HiPerFET™)이 있는 N 채널 전원 MOSFET
사양
- 수량:1세트(10개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 66암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 500볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 65옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 5V
- 최대 게이트 소스 전압: -30V, +30V
- 패키지 유형: SOT-227B
- 마운트 유형: 패널 마운트
- 핀 수: 4
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 700와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:920-0745
| 주문 번호 | 63-5180-55 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IXFN80N50P | |
| 표준 가격 |
JPY: 73,600
USD: 461.36
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1set(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
|
|
| 공급자 재고 |
|
|