63-5170-60 ［단종］SiHG70N60EF-GE3 N-채널 MOSFET, 70A, 600V EF 시리즈, 3핀 TO-247AC Vishay SiHG70N60EF-GE3
기능
- Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor를 포함한 N 채널 MOSFET 역회복 시간 단축, 역회복 요금, 역회복 전류 Fom(Low-of-merit) Ciss(Low Input Capacitance) 낮은 역회복 요금 Qg(Ultra Low Gate Charge)로 인해 견고성 향상
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 70암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 600볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 38옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 2V
- 최대 게이트 소스 전압: -30V, +30V
- 패키지 유형: TO-247AC
- 마운트 유형: 관통 구멍
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 520와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:903-4475
| 주문 번호 | 63-5170-60 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SiHG70N60EF-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,270
USD: 14.23
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
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