63-5130-31 SI4909DY-T1-GE3 이중 P 채널 MOSFET, 6.5A, 40V, 8핀 SOIC Vishay SI4909DY-T1-GE3
기능
- 이중 P 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형: P
- 최대 연속 드레인 전류: 6.5암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 40볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 34옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.2V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: 소셜
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 3.2와트
- 너비: 4밀리미터
- 코드 번호:818-1302
| 주문 번호 | 63-5130-31 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4909DY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 3,520
USD: 22.08
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(20pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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