63-5107-22 ［단종］반도체 2SK3666-3-TB-E N-채널 JFET, 30 V, Idss 1.2 → 3mA, 3 핀 CP 2SK3666-3-TB-E
기능
- N 채널 JFET, ON 반도체
사양
- 수량:1백(50개)
- 채널 유형: N
- Idss 드레인-소스 차단 전류: 1.2 → 3mA
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 게이트 전압 -30V
- 트랜지스터 구성 단일
- 최대 드레인 소스 저항: 200옴
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 패키지 유형: CP
- 핀 수: 3
- 드레인 게이트 온-커패시턴스 4pF
- 소스 게이트 온-커패시턴스 1.1pF
- 크기: 2.9 x 1.5 x 1.1cm
- 길이: 2.9밀리미터
- 코드 번호:792-5161
| 주문 번호 | 63-5107-22 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | 2SK3666-3-TB-E | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,800
USD: 11.28
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(50pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |