63-5102-36 SI2333DDS-T1-GE3 P-채널 MOSFET, 6A, 12V, 3핀 SOT-23 Vishay SI2333DDS-T1-GE3
기능
- P 채널 MOSFET, 8V ~ 20V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: P
- 최대 연속 드레인 전류: 6 A
- 최대 드레인 소스 전압: 12볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 19옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 0.4V
- 최대 게이트 소스 전압: -8V, +8V
- 패키지 유형: SOT-23
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 3
- 채널 모드: 향상
- 최대 전력 소비량: 1.7와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:787-9222
| 주문 번호 | 63-5102-36 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI2333DDS-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 890
USD: 5.54
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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