63-5102-35 ［단종］SiHG32N50D-GE3 N-채널 MOSFET, 30A, 500V, 3핀 TO-247AC Vishay SiHG32N50D-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 500V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 30 A
- 최대 드레인 소스 전압: 500볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 150옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 3V
- 최대 게이트 소스 전압: -30V, +30V
- 패키지 유형: TO-247AC
- 마운트 유형: 관통 구멍
- 핀 수: 3
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 390와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:787-9207
| 주문 번호 | 63-5102-35 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SiHG32N50D-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,000
USD: 12.44
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1piece | |
|
||
| 일본의 주식 | - | |