63-5102-31 SI2319CDS-T1-GE3 P 채널 MOSFET, 4.4A, 40V, 3핀 SOT-23 Vishay SI2319CDS-T1-GE3
기능
- P 채널 MOSFET, 30V ~ 80V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: P
- 최대 연속 드레인 전류: 4.4암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 40볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 108옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.2V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: SOT-23
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 3
- 채널 모드: 향상
- 최대 전력 소비량: 2.5와트
- 최대 작동 온도 +150°C
- 코드 번호:787-9042
| 주문 번호 | 63-5102-31 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI2319CDS-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,120
USD: 7.02
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
|
|
| 공급자 재고 |
|
|