63-5059-30 IPB036N12N3GATMA1 N 채널 MOSFET, 180A, 120V OptiMOS 3, 7핀 D2PAK Infineon IPB036N12N3GATMA1
기능
- Infineon OptiMOS™3 전원 MOSFET, 100V 이상
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 180암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 120볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 3.6옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 4V
- 최소 게이트 임계값 전압: 2V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: D2PAK (TO-263)
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 최대 전력 소비량: 300와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:754-5428
| 주문 번호 | 63-5059-30 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IPB036N12N3GATMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,250
USD: 7.84
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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