63-5059-29 [단종]IPB025N10N3GATMA1 N 채널 MOSFET, 180A, 100V OptiMOS 3, 7핀 D2PAK Infineon IPB025N10N3GATMA1
기능
- Infineon OptiMOS™3 전원 MOSFET, 100V 이상
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 180암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 100볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 4.4옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 3.5볼트
- 최소 게이트 임계값 전압: 2V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: D2PAK (TO-263)
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 300와트
- 일반적인 끄기 지연 시간: 84ns
- 코드 번호:754-5421
| 주문 번호 | 63-5059-29 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IPB025N10N3GATMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,370
USD: 8.59
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]IPB025N10N3GATMA1 N 채널 MOSFET, 180A, 100V OptiMOS 3, 7핀 D2PAK Infineon IPB025N10N3GATMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/5059/29/63505929.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)