63-5058-09 BSS192PH6327FTSA1 P 채널 MOSFET, 190mA, 250V SIPMOS, 3핀 SOT-89 Infineon BSS192PH6327FTSA1
기능
- Infineon SIPMOS® P-채널 MOSFET Infineon SIPMOS ® 작은 신호 P-채널 MOSFET는 강화 모드, -80A 정도의 낮은 연속 드레인 전류 및 넓은 작동 온도 범위를 포함할 수 있는 몇 가지 특징을 가집니다. SIPMOS 파워 트랜지스터는 자동차 산업뿐만 아니라 텔레콤, eMobility, 노트북, DC/DC 장치를 포함한 다양한 응용에서 사용될 수 있습니다. · AEC Q101 검증(데이터시트 참조) · 무연 리드 도금, RoHS 준수
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: P
- 최대 연속 드레인 전류: 190밀리리터
- 최대 드레인 소스 전압: 250볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 20옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 2V
- 최소 게이트 임계값 전압: 1V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: SOT-89
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 작은 신호
- 최대 전력 소비량: 1와트
- 일반적인 끄기 지연 시간: 72ns
- 코드 번호:753-2848
| 주문 번호 | 63-5058-09 | |
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| 모델 번호 | BSS192PH6327FTSA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,040
USD: 6.52
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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