63-5058-08 [단종]BSS169H6327XTSA1 N-채널 MOSFET, 170 mA, 100V 고갈 SIPMOS, 3핀 SOT-23 Infineon BSS169H6327XTSA1
기능
- Infineon SIPMOS® N-채널 MOSFET
사양
- 수량:1백(25개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 170밀리리터
- 최대 드레인 소스 전압: 100볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 12옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 1.8V
- 최소 게이트 임계값 전압: 2.9볼트
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: SOT-23
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 고갈
- 범주: 작은 신호
- 최대 전력 소비량: 360밀리와트
- 최대 작동 온도 +150°C
- 코드 번호:753-2844
| 주문 번호 | 63-5058-08 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | BSS169H6327XTSA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,100
USD: 6.84
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(25pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]BSS169H6327XTSA1 N-채널 MOSFET, 170 mA, 100V 고갈 SIPMOS, 3핀 SOT-23 Infineon BSS169H6327XTSA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/5058/08/63505808.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)