63-5027-97 [단종]IRLML2030TRPBF N 채널 MOSFET, 2.7A, 30V HEXFET, 3핀 SOT-23 Infineon IRLML2030TRPBF
기능
- N 채널 전원 MOSFET 30V, Infineon. 이산적인 HEXFET® 전력 MOSFET의 Infineon 범위는 표면 마운트 및 리드 패키지 내의 N-채널 디바이스를 포함한다. 또한 거의 모든 보드 레이아웃 및 열 설계 문제를 해결할 수 있는 폼 팩터를 제공합니다. 저항력에 대한 범위 벤치마크에서 전도 손실을 줄여 설계자가 최적의 시스템 효율성을 제공할 수 있습니다.
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 2.7암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 100옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 2.3V
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.3V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: SOT-23
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 1.3와트
- 일반적인 끄기 지연 시간: 4.5ns
- 코드 번호:725-9353
| 주문 번호 | 63-5027-97 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRLML2030TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 720
USD: 4.51
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(20pieces) | |
|
|
||
| 일본의 주식 | - | |
![[단종]IRLML2030TRPBF N 채널 MOSFET, 2.7A, 30V HEXFET, 3핀 SOT-23 Infineon IRLML2030TRPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/5027/97/63502797.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)