63-4997-01 ［단종］SI4900DY-T1-GE3 이중 N 채널 MOSFET, 4.3A, 60V, 8핀 SOIC Vishay SI4900DY-T1-GE3
기능
- 이중 N 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 4.3 A
- 최대 드레인 소스 전압: 60볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 58옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 1V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: 소셜
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 격리됨
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 2와트
- 일반적인 끄기 지연 시간: 15ns, 20ns
- 코드 번호:710-3364
| 주문 번호 | 63-4997-01 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4900DY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,070
USD: 12.98
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |