63-4996-99 SI4435DDY-T1-GE3 P 채널 MOSFET, 8.1A, 30V, 8핀 SOIC Vishay SI4435DDY-T1-GE3
기능
- P 채널 MOSFET, 30V ~ 80V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: P
- 최대 연속 드레인 전류: 8.1 A
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 24옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 1V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: 소셜
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 2.5와트
- 일반적인 켜기 지연 시간: 10ns, 42ns
- 코드 번호:710-3339
| 주문 번호 | 63-4996-99 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4435DDY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,510
USD: 9.40
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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