63-4996-95 ［단종］SI2308BDS-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 1.9A, 60V, 3핀 SOT-23 Vishay SI2308BDS-T1-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 60V ~ 90V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 1.9 A
- 최대 드레인 소스 전압: 60볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 156옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 1V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: SOT-23(TO-236)
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 1.09와트
- 크기: 3.04 x 1.4 x 1.02cm
- 코드 번호:710-3257
| 주문 번호 | 63-4996-95 | |
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| 모델 번호 | SI2308BDS-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,310
USD: 14.37
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(20pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |