63-4966-40 [품절]IRFU3607PBF N-채널 MOSFET, 80A, 75V HEXFET, 3핀 IPAK Infineon IRFU3607PBF
기능
- N 채널 전원 MOSFET 60V ~ 80V, Infineon 이산적인 HEXFET® 전력 MOSFET의 Infineon 범위는 표면 마운트 및 리드 패키지 내의 N-채널 디바이스를 포함한다. 또한 거의 모든 보드 레이아웃 및 열 설계 문제를 해결할 수 있는 폼 팩터를 제공합니다. 저항력에 대한 범위 벤치마크에서 전도 손실을 줄여 설계자가 최적의 시스템 효율성을 제공할 수 있습니다.
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 80암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 75볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 9옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 4V
- 최소 게이트 임계값 전압: 2V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: IPAK (TO-251)
- 마운트 유형: 관통 구멍
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 140와트
- 크기: 6.73 x 2.39 x 6.22cm
- 코드 번호:688-7134
| 주문 번호 | 63-4966-40 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRFU3607PBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 970
USD: 6.09
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(5pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[품절]IRFU3607PBF N-채널 MOSFET, 80A, 75V HEXFET, 3핀 IPAK Infineon IRFU3607PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4966/40/63493713.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)