ON Semiconductor

63-4936-69 [단종]반도체 상의 BS170 N 채널 MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 BS170

기능

  • 강화 모드 N 채널 MOSFET, 페어차일드 반도체. Fairchild의 독점적이고 높은 셀 밀도의 DMOS 기술을 사용하여 FET(Enhancement Mode Field Effect Transistors)를 생성합니다. 이 고밀도 프로세스는 상태 저항을 최소화하고 견고하고 안정적인 성능과 빠른 스위칭을 제공하도록 설계되었습니다.

사양

  • 수량:1백(10개)
  • 채널 유형: N
  • 최대 연속 드레인 전류: 500밀리리터
  • 최대 드레인 소스 전압: 60볼트
  • 최대 드레인 소스 저항: 5옴
  • 최대 게이트 임계값 전압: 3V
  • 최소 게이트 임계값 전압: 0.8V
  • 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
  • 패키지 유형: TO-92
  • 마운트 유형: 관통 구멍
  • 핀 수: 3
  • 채널 모드: 향상
  • 범주: 파워 모스펫
  • 최대 전력 소비량: 830밀리와트
  • 높이: 5.33밀리미터
  • 코드 번호:671-4736
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주문 번호 63-4936-69
모델 번호 BS170
표준 가격 JPY: 360 USD: 2.26
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(10pieces)
  단종
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