63-4935-93 ［단종］FDN337N N 채널 MOSFET, 2.2A, 30V, 3핀 SOT-23 온 반도체 FDN337N
기능
- 강화 모드 N 채널 MOSFET, 페어차일드 반도체. Fairchild의 독점적이고 높은 셀 밀도의 DMOS 기술을 사용하여 FET(Enhancement Mode Field Effect Transistors)를 생성합니다. 이 고밀도 프로세스는 상태 저항을 최소화하고 견고하고 안정적인 성능과 빠른 스위칭을 제공하도록 설계되었습니다.
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 2.2 A
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 65옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 1V
- 최소 게이트 임계값 전압: 0.4V
- 최대 게이트 소스 전압: -8V, +8V
- 패키지 유형: SOT-23
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 500밀리와트
- 길이: 2.92밀리미터
- 코드 번호:671-0429
| 주문 번호 | 63-4935-93 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | FDN337N | |
| 표준 가격 |
JPY: 370
USD: 2.30
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
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