Renesas Electronics

63-4910-24 [단종]NP110N04PUG-E1-AZ N-채널 MOSFET, 110A, 40V, 3핀 D2PAK 레네사스 NP110N04PUG-E1-AZ

기능

  • 최대 140V의 N 채널 저전압 MOSFET, Renesas Electronics

사양

  • 수량:1백(5개)
  • 채널 유형: N
  • 최대 연속 드레인 전류: 110 A
  • 최대 드레인 소스 전압: 40볼트
  • 최대 드레인 소스 저항: 2옴
  • 최대 게이트 임계값 전압: 4V
  • 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
  • 패키지 유형: D2PAK (TO-263)
  • 마운트 유형: 서피스 마운트
  • 트랜지스터 구성 단일
  • 채널 모드: 향상
  • 범주: 파워 모스펫
  • 최대 전력 소비량: 1.8와트
  • 길이: 10밀리미터
  • 코드 번호:641-6041
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주문 번호 63-4910-24
모델 번호 NP110N04PUG-E1-AZ
표준 가격 JPY: 2,200 USD: 13.79
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(5pieces)
  단종
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