63-4866-68 [단종]IRF7389PBF 이중 N/P 채널 MOSFET, 5.3A, 7.3A, 30V HEXFET, 8핀 SOIC Infineon IRF7389PBF
기능
- 이중 N/P 채널 전원 MOSFET, Infineon. Infineon의 듀얼 파워 MOSFET는 두 개의 HEXFET® 장치를 통합하여 보드 공간이 프리미엄이 되는 높은 컴포넌트 밀도 설계의 공간 절약형 비용 효율적인 스위칭 솔루션을 제공합니다. 다양한 패키지 옵션을 사용할 수 있으며 디자이너는 듀얼 N/P 채널 구성을 선택할 수 있습니다.
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N, P
- 최대 연속 드레인 전류: 5.3A, 7.3A
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 29옴, 58옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 1V
- 최소 게이트 임계값 전압: 1V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: 소셜
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 격리됨
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 2.5와트
- 일반적인 끄기 지연 시간: 26ns, 34ns
- 코드 번호:541-2004
| 주문 번호 | 63-4866-68 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRF7389PBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 150
USD: 0.94
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1piece | |
|
|
||
| 일본의 주식 | - | |
![[단종]IRF7389PBF 이중 N/P 채널 MOSFET, 5.3A, 7.3A, 30V HEXFET, 8핀 SOIC Infineon IRF7389PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4866/68/63486668.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)