63-4866-30 IRFBE30PBF N-채널 MOSFET, 4.1A, 800V, 3핀 TO-220AB Vishay IRFBE30PBF
기능
- N 채널 MOSFET, 600V ~ 1000V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 4.1 A
- 최대 드레인 소스 전압: 800볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 3옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 2V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: TO-220AB
- 마운트 유형: 관통 구멍
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 125와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:541-1124
| 주문 번호 | 63-4866-30 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRFBE30PBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 450
USD: 2.82
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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