Infineon

63-4796-02 BSP89H6327XTSA1 N 채널 MOSFET, 350mA, 240V SIPMOS, 3 + 탭 핀 SOT-223 Infineon BSP89H6327XTSA1

기능

  • Infineon SIPMOS® N-채널 MOSFET

사양

  • 수량:1백(5개)
  • 채널 유형: N
  • 최대 연속 드레인 전류: 350밀리리터
  • 최대 드레인 소스 전압: 240볼트
  • 최대 드레인 소스 저항: 6옴
  • 최대 게이트 임계값 전압: 1.8V
  • 최소 게이트 임계값 전압: 0.8V
  • 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
  • 패키지 유형: SOT-223
  • 마운트 유형: 서피스 마운트
  • 트랜지스터 구성 단일
  • 채널 모드: 향상
  • 범주: 작은 신호
  • 최대 전력 소비량: 1.8와트
  • 일반적인 끄기 지연 시간: 15.9ns
  • 코드 번호:445-2281
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주문 번호 63-4796-02
모델 번호 BSP89H6327XTSA1
표준 가격 JPY: 500 USD: 3.11
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(5pieces)
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공급자 재고