63-4695-22 ［단종］SCT2H12NYTB SiC N 채널 MOSFET, 4A, 1700V, 2 + 탭 핀 TO-268 ROHM SCT2H12NYTB
사양
- 수량:1백(2개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 4 A
- 최대 드레인 소스 전압: 1700볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 1.71옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 4V
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.6볼트
- 최대 게이트 소스 전압: 22볼트
- 패키지 유형: TO-268
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 트랜지스터 구성 단일
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 44와트
- 크기: 15.95 x 13.9 x 5mm
- 코드 번호:150-1510
| 주문 번호 | 63-4695-22 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SCT2H12NYTB | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,290
USD: 8.09
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(2pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |