63-4682-13 IXFN200N10P N 채널 MOSFET, 200A, 100V 극성 HiPerFET, 4핀 SOT-227B IXYS IXFN200N10P
기능
- N 채널 전원 MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ 시리즈. IXYS의 고속 내장 다이오드(HiPerFET™)이 있는 N 채널 전원 MOSFET
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 200암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 100볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 7.5옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 5V
- 최소 게이트 임계값 전압: 3V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: SOT-227B
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 4
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 680와트
- 최대 작동 온도 +175°C
- 코드 번호:125-8040
| 주문 번호 | 63-4682-13 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IXFN200N10P | |
| 표준 가격 |
JPY: 6,120
USD: 38.36
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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