64-2779-72 [Dihentikan]RQ3E100BNTB N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V RQ3E100MILIAR, HSMT ROHM 8-Pin RQ3E100BNTB
Spec
- Kuantitas: 1tas(20kepingan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:21 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:10,4 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: ± 20 V
- Tipe Paket:HSMT
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 15 W
- Kapasitansi Masukan Tipikal @ Vds:1100 pF @ 15 V
- KODE No.:177-6623
| Perintah No. | 64-2779-72 | |
|---|---|---|
| Model No. | RQ3E100BNTB | |
| Harga standar |
JPY: 690
USD: 4.33
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(20pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]RQ3E100BNTB N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V RQ3E100MILIAR, HSMT ROHM 8-Pin RQ3E100BNTB](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2779/72/64277972.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)