64-2779-65 ［Dihentikan］RQ3E100ATTB P-Channel MOSFET, 31 A, 30 V RQ3E100AT, HSMT ROHM 8-Pin RQ3E100ATTB
Spec
- Kuantitas: 1tas(20kepingan)
- Tipe Saluran:P
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:31 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:11,4 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: ± 20 V
- Tipe Paket:HSMT
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 17 W
- Waktu Penundaan Matikan Tipikal:85 ns
- KODE No.:177-6577
| Perintah No. | 64-2779-65 | |
|---|---|---|
| Model No. | RQ3E100ATTB | |
| Harga standar |
JPY: 1,650
USD: 10.35
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(20pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |