64-2645-79 [Dihentikan]RQ3E120BNTB N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V RQ3E120MILIAR, HSMT 8-Pin RQ3E120BNTB
Spec
- Kuantitas: 1tas(50 bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:21 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:11,9 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum: ± 20 V
- Tipe Paket:HSMT
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 16 W
- Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
- KODE No.:171-9833
| Perintah No. | 64-2645-79 | |
|---|---|---|
| Model No. | RQ3E120BNTB | |
| Harga standar |
JPY: 2,080
USD: 13.05
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(50pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]RQ3E120BNTB N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V RQ3E120MILIAR, HSMT 8-Pin RQ3E120BNTB](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2645/79/64264579.jpg?v=897ccfaa5270bed4dad0662a8ca3207d7ee0ddc44)