64-2004-56 ［Dihentikan］IRLL024NPBF N-Channel MOSFET, 4.4 A, 55 V HEXFET, 3+Tab-Pin SOT-223 Infineon IRLL024NPBF
Fitur
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon. Rentang terpisah dari HEXFET® tenaga HSFET® Infineon termasuk perangkat N-channel di gunung permukaan dan paket yang ditambahkan dan membentuk faktor yang dapat mengatasi hampir semua tata letak papan dan tantangan desain panas. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas:1tas(5potongan)
- Tipe Saluran:N
- Kondisi Berkelanjutan Maksimal Saat Ini:4.4 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 55 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:65 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-16 V, +16 V
- Tipe Paket:SOT-223
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2.1 W
- Lebar:3.7 mm
- KODE No.:543-1673
| Perintah No. | 64-2004-56 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRLL024NPBF | |
| Harga standar |
JPY: 550
USD: 3.42
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(5pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |