64-2004-21 ［Dihentikan］FQT4N20LTF N-Channel MOSFET, 850 mA, 200 V QFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 PADA Semikonduktor FQT4N20LTF
Fitur
- QFET® N-Channel MOSFET, sampai 5.9A, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor adalah planet QFET® yang baru, MOSFET menggunakan teknologi kepemilikan tingkat lanjut, memberikan kinerja operasi terbaik dalam kelas untuk berbagai aplikasi, termasuk penyediaan energi, PFC (Power Factor Corporation), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), penerangan, dan kontrol gerakan. Mereka menawarkan kerugian negara berkurang dengan cara menurunkan RDS (on), dan mengurangi kerugian karena menurunkan tingkat pengembalian (Qg) dan kapasitas output (Coss). Dengan menggunakan teknologi proses QFET® canggih, Fairchild dapat menawarkan figur keuntungan yang lebih baik (FOM) dibanding perangkat planar MOSFET yang bersaing.
Spec
- Kuantitas: 1set(4000potongan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:850 mA
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 200 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 1,35 Ω
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOT-223
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin:3 + Tab
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2.2 W
- Waktu Penundaan Matikan Tipikal:15 ns
- KODE No.:166-1837
| Perintah No. | 64-2004-21 | |
|---|---|---|
| Model No. | FQT4N20LTF | |
| Harga standar |
JPY: 276,000
USD: 1,717.27
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(4000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |