64-1935-06 ［Dihentikan］PADA Semikonduktor NGTB30N135IHR1WG IGBT, 60 A 1350 V, 3-Pin UNTUK-247 NGTB30N135IHR1WG
Fitur
- IGBT Discretes, PADA Semikonduktor. Gerbang Bipolar Transistor (IGBT) untuk penggerak motor dan aplikasi peralihan tinggi lainnya.
Spec
- Kuantitas: 1tas(2kepingan)
- Pengumpul Berkelanjutan Maksimum Saat Ini:60 A
- Voltase Emitter Pengumpul Maksimum:1350 V
- Voltase Emitor Maksimum: ± 20V
- Pengeluaran Daya Maksimum: 394 W
- Tipe Paket:TO-247
- Jenis Penpasang: Lubang Lewat
- Tipe Saluran:N
- Jumlah Pin: 3
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Panjang:16,25 mm
- Lebar:5.3 mm
- Tinggi:21,4 mm
- Dimensi:16,25 x 5,3 x 21,4mm
- Gerbang Kapasitansi:5530pF
- KODE No.:922-9550
| Perintah No. | 64-1935-06 | |
|---|---|---|
| Model No. | NGTB30N135IHR1WG | |
| Harga standar |
JPY: 1,160
USD: 7.28
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(2pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |