64-1916-73 ［Dihentikan］SI3900DV-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 6-Pin TSOP Vishay SI3900DV-T1-GE3
Fitur
- Dual N-Channel MOSFET, Visual Semikonduktor
Spec
- Kuantitas: 1set(3000bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:2 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:20 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:200 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 0.6V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-12 V, +12 V
- Tipe Paket:TSOP
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 6
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Maksimum Power Dissipasi: 830 mW
- Waktu Penundaan Matikan Tipikal:14 ns
- KODE No.:919-4277
| Perintah No. | 64-1916-73 | |
|---|---|---|
| Model No. | SI3900DV-T1-GE3 | |
| Harga standar |
JPY: 175,000
USD: 1,097.73
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(3000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |