64-1899-86 ［Dihentikan］VNS1NV 04DP-E Dual N-Channel MOSFET, 3.5 A, 40 V OMNIFET, STMicroelektronika SOIC VNS1NV04DP-E
Fitur
- OMNIFET Auto-Protected Power MOSFET, STMicroelectronics. Rangkaian OMNIFET driver sisi rendah yang sepenuhnya dilindungi secara otomatis diukur berdasarkan kriteria keandalan dan keandalan yang ditingkatkan. Ini saklar-saklar tenaga negara yang kuat dirancang untuk memduksi atau menekan beban, terutama di lingkungan otomotif. Termal pemotongan panas Linear saat ini mematikan Proteksi ESD sirkuit pendek
Spec
- Kuantitas: 1tas(10bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:3.5 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 40 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:500 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 0.5V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 8
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 4 W
- Jumlah Elemen per Chip:2
- KODE No.:917-2797
| Perintah No. | 64-1899-86 | |
|---|---|---|
| Model No. | VNS1NV04DP-E | |
| Harga standar |
JPY: 1,510
USD: 9.47
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(10pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |