64-1889-34 ［Dihentikan］IRFR9N20DTRPBF N-Channel MOSFET, 9,4 A, 200 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRFR9N20DTRPBF
Fitur
- N-Channel Power MOSFET 150V sampai 600V, Infineon. Rentang terpisah dari HEXFET® tenaga HSFET® Infineon termasuk perangkat N-channel di gunung permukaan dan paket yang ditambahkan dan membentuk faktor yang dapat mengatasi hampir semua tata letak papan dan tantangan desain panas. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas: 1set(2000potongan)
- Tipe Saluran:N
- Kondisi Berkelanjutan Maksimal Saat Ini:9.4 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 200 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:380 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 5.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:3V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-30 V, +30 V
- Tipe Paket:DPAK (TO-252)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 3
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 86 W
- Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
- KODE No.:165-8218
| Perintah No. | 64-1889-34 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRFR9N20DTRPBF | |
| Harga standar |
JPY: 115,000
USD: 721.37
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(2000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |