64-1872-48 ［Dihentikan］IRF8010PBF N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V HEXFET, 3-Pin KE-220AB Infineon IRF8010PBF
Fitur
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon. Rentang infineon dari energi HEXFET® MOSFET termasuk perangkat saluran N dalam permukaan dan paket yang ditambahkan. Dan faktor-faktor bentuk yang dapat menangani hampir semua tata letak papan dan tantangan desain termal. Di berbagai langkah, tolak ukur kekebalan hanya mengurangi kerugian konduktor, memungkinkan desainer untuk memberikan efisiensi sistem yang optimal.
Spec
- Kuantitas:1 set(50 bagian)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:80 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 100 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:15 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2V
- Batas Ambang Gerbang Minimum: 0.6V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:TO-220AB
- Jenis Penpasang: Lubang Lewat
- Jumlah Pin: 3
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 260 W
- Jumlah Elemen per Chip:1
- KODE No.:912-8696
| Perintah No. | 64-1872-48 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF8010PBF | |
| Harga standar |
JPY: 10,600
USD: 65.95
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(50pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |