64-1795-87 IPB011N04NGATMA1 N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V OptiMOS 3, 7-Pin D2PAK Infineon IPB011N04NGATMA1
Fitur
- Infineon OptiMOS [3 Power MOSFET, hingga 40V. Produk OptiMOS™ tersedia dalam paket kinerja tinggi untuk menangani aplikasi yang paling menantang yang telah memberikan keleluasaan penuh pada ruang-ruang yang terbatas. Produk-produk Infineon ini dirancang untuk memenuhi dan melampaui efisiensi energi serta kebutuhan kepadatan daya dari standar regulasi tegangan generasi berikutnya yang diasah dalam aplikasi komputasi. Penggantian cepat MOSFET untuk teknologi teroptimalkan SMPS untuk konverter DC/DC yang memenuhi syarat sesuai dengan JEDEC1) untuk aplikasi target N-channel, level logika biaya x R DS(on) produk sangat rendah pada tingkat penolakan R DS(on) Pb-free plating.
Spec
- Kuantitas:1set(1000potong)
- Tipe Saluran:N
- Maximum Continuous Drain Current:180 A
- Sumber Drain Maksimum:40 V
- Sumber Drain Maksimum: 1.1Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket V:D2D (TO-263)
- Tipe Terpasang:Konfigurasi Surface Mount
- Transistor:Mode Single
- Channel:Enhancement
- Category:Power MOSFET
- Maximum Power Dissipation:250 W
- Minimum Operasi Ω:-55 ° C
- CODE No.:145-952
| Perintah No. | 64-1795-87 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPB011N04NGATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 437,000
USD: 2,741.19
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(1000pieces) | |
| Saham di Jepang |
|
|
| Saham Pemasok |
|
|