64-1795-82 ［Dihentikan］IPB025 N08N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V OptiMOS 3, Pin-3 D2PAK Infineon IPB025N08N3GATMA1
Fitur
- Infineon OptiMOS mengamuk 3 Power MOSFET, 60 hingga 80V. Produk OptiMOS™ tersedia dalam paket kinerja tinggi untuk menangani aplikasi yang paling menantang yang telah memberikan keleluasaan penuh pada ruang-ruang yang terbatas. Produk-produk Infineon ini dirancang untuk memenuhi dan melampaui efisiensi energi serta kebutuhan kepadatan daya dari standar regulasi tegangan generasi berikutnya yang diasah dalam aplikasi komputasi. Penggantian cepat MOSFET untuk teknologi teroptimalkan SMPS untuk konverter DC/DC yang memenuhi syarat sesuai dengan JEDEC1) untuk aplikasi target N-channel, level logika biaya x R DS(on) produk sangat rendah pada tingkat penolakan R DS(on) Pb-free plating.
Spec
- Kuantitas: 1tas(2kepingan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:120 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 80 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:3.9 mΩ
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 3
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 300 W
- Jumlah Elemen per Chip:1
- KODE No.:898-6898
| Perintah No. | 64-1795-82 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPB025N08N3GATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 1,160
USD: 7.28
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1bag(2pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |