64-1793-71 [Dihentikan]IPB083N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V OptiMOS 3, 3Pin D2PAK Infineon IPB083N10N3GATMA1
Fitur
- Infineon OptiMOS 3 Power MOSFET, 100V dan lebih
Spec
- Kuantitas: 1set(1000potongan)
- Tipe Saluran:N
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:80 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 100 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:15,1 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 3.5V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Jumlah Pin: 3
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 125 W
- Waktu Penundaan Pengaktifan Khas:18 ns
- KODE No.:165-8268
| Perintah No. | 64-1793-71 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPB083N10N3GATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 179,000
USD: 1,122.82
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(1000pieces) | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]IPB083N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V OptiMOS 3, 3Pin D2PAK Infineon IPB083N10N3GATMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1793/71/64179371.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)