64-1735-22 ［Dihentikan］Dual N/P-Channel MOSFET IRF9389TRPBF, 4.6 A, 6,8 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF9389TRPBF
Fitur
- Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon. Tenaga ganda dari MOSFET mengintegrasikan dua alat HEXFET® guna menyediakan solusi untuk menghemat waktu dan hemat biaya, dengan pengalihan solusi efektif dalam rancangan kepadatan komponen yang tinggi di mana ruang dewan berada pada premi. Berbagai opsi paket tersedia dan perancang bisa memilih konfigurasi Dual N/P-channel.
Spec
- Kuantitas: 1set(4000potongan)
- Tipe Saluran:N, P
- Arus Drain Maksimum: 4.6 A, 6.8 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum:30 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum: 40 mΩ, 103 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.3V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.3V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Tipe Paket:SOIC
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Terisolasi
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 2 W
- Materi Transistor: Si
- KODE No.:165-5525
| Perintah No. | 64-1735-22 | |
|---|---|---|
| Model No. | IRF9389TRPBF | |
| Harga standar |
JPY: 102,000
USD: 639.82
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(4000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |