64-1660-79 [Dihentikan]Infineon IR21364SPBF Hex Tinggi dan Rendah Side MOSFET Power Driver, 350mA 28-Pin, SOIC IR21364SPBF
Fitur
- MOSFET; IGBT Gate Driver, Tiga-Tahap, Infineon. Berbagai driver jembatan penuh yang dirancang untuk mengontrol MOSFET dan perangkat daya IGBT dalam aplikasi 3 fase. Perangkat ini memiliki tegangan pemblokiran maksimum 600 V dan kontrol sisi rendah dengan menggunakan tingkat sinyal yang kompatibel dengan CMOS dan TL.
Spec
- Kuantitas:1potongan
- Jumlah Driver: 6
- Jumlah Suplai Operasi Minimum:12 V
- Batas Suplai Operasi Maksimum: 20 V
- Topologi:Sisi Tinggi dan Rendah
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Puncak Keluaran Saat Ini:350mA
- Jumlah Keluaran: 6
- Polaritas:Non-Pengbalik
- Tipe Paket:SOIC
- Jumlah Pin: 28
- Jenis Jembatan: Setengah Jembatan
- Masukan Kompatibilitas Logika: CMOS, LSTTL
- Dependensi Bagian Tinggi dan Rendah: Independen
- Dimensi: 18,1 x 7,6 x 2,33mm
- KODE No.:865-5664
| Perintah No. | 64-1660-79 | |
|---|---|---|
| Model No. | IR21364SPBF | |
| Harga standar |
JPY: 810
USD: 5.08
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1piece | |
|
|
||
| Saham di Jepang | - | |
![[Dihentikan]Infineon IR21364SPBF Hex Tinggi dan Rendah Side MOSFET Power Driver, 350mA 28-Pin, SOIC IR21364SPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1660/79/64166078.jpg?v=897ccfaa5270bed4dad0662a8ca3207d7ee0ddc44)