64-1591-99 ［Dihentikan］IPB80P04P4L06ATMA1 MOSFET, 80 A, 40 V OptiMOS P, 3-Pin D2PAK Infineon IPB80P04P4L06ATMA1
Fitur
- Infineon OptiMOS 'P-Channel Power MOSFET'. Sumber daya ™ P-Channel Infineon dirancang untuk memberikan fitur yang ditingkatkan pada kinerja kualitas rapat. Fitur-fitur yang termasuk pengalihan kembali kerugian yang sangat rendah, daya tahan negara, peringkat Avalanche dan kualifikasi AEC untuk solusi otomotif. Aplikasi termasuk dc-dc, kontrol motor, otomotif, dan Mobilitas. Mode peningkatan Avalanche menilai pergantian rendah dan kekuatan konduktor yang kehilangan plating bebas Pb; Paket Standar yang sesuai RoHS OptiMOS™ P-Channel Series: Rentang suhu dari -55°C hingga +175°C
Spec
- Kuantitas: 1set(1000potongan)
- Tipe Saluran:P
- Arus Drain Berkelanjutan Maksimum:80 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 40 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:10,8 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.2V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-16 V, +16 V
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 88 W
- Waktu Penundaan Matikan Tipikal:61 ns
- KODE No.:857-4552
| Perintah No. | 64-1591-99 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPB80P04P4L06ATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 120,000
USD: 752.73
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(1000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |