64-1591-85 ［Dihentikan］IPB70N10S3L12ATMA1 MOSFET, 70 A, 100 V OptiMOS T, 3-Pin D2PAK Infineon IPB70N10S3L12ATMA1
Fitur
- Infineon OptiMOS ‘Power MOSFET’. Produk OptiMOS™ tersedia dalam paket kinerja tinggi untuk menangani aplikasi yang paling menantang yang telah memberikan keleluasaan penuh pada ruang-ruang yang terbatas. Produk-produk Infineon ini dirancang untuk memenuhi dan melampaui efisiensi energi serta kebutuhan kepadatan daya dari standar regulasi tegangan generasi berikutnya yang dipertajam dalam aplikasi komputasi. Saluran-N - Mode peningkatan Otomotif AEC Q101 memenuhi syarat MSL1 hingga 260°C di atas 175°C di produk yang sesuai dengan RoHS)
Spec
- Kuantitas: 1set(1000potongan)
- Tipe Saluran:N
- Maksimum Kekurangan Berkelanjutan: 70 A
- Voltase Sumber Drain Maksimum: 100 V
- Penyimpanan Sumber Drain Maksimum:15,8 mΩ
- Batas Ambang Gerbang Maksimum: 2.4V
- Batas Ambang Gerbang Minimum:1.2V
- Voltase Sumber Gerbang Maksimum:-20 V, +20 V
- Jenis Paket:D2PAK (TO-263)
- Jenis Penambahan: Permukaan Gunung
- Konfigurasi Transistor:Tunggal
- Mode Saluran:Peningkatan
- Kategori:Power MOSFET
- Pengeluaran Daya Maksimum: 125 W
- Seri:OptiMOS T
- KODE No.:857-4495
| Perintah No. | 64-1591-85 | |
|---|---|---|
| Model No. | IPB70N10S3L12ATMA1 | |
| Harga standar |
JPY: 138,000
USD: 865.64
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Kuantitas | 1set(1000pieces) | |
|
||
| Saham di Jepang | - | |