ON Semiconductor

64-1503-33 [Dihentikan]PADA Semikonduktor NGTB35N60FL2WG IGBT, 70 A 600 V, 3-Pin KE-247 NGTB35N60FL2WG

Fitur

  • IGBT Discretes, PADA Semikonduktor. Gerbang Bipolar Transistor (IGBT) untuk penggerak motor dan aplikasi peralihan tinggi lainnya.

Spec

  • Kuantitas: 1tas(2kepingan)
  • Pengumpul Berkelanjutan Maksimum Saat ini:70 A
  • Voltase Pengumpulkan Maksimum:600 V
  • Voltase Emitor Maksimum: ± 20V
  • Pengeluaran Daya Maksimum: 300 W
  • Tipe Paket:TO-247
  • Jenis Penpasang: Lubang Lewat
  • Tipe Saluran:N
  • Jumlah Pin: 3
  • Kecepatan Pengalihan: 1MHz
  • Konfigurasi Transistor:Tunggal
  • Panjang:16,26 mm
  • Lebar:5.3 mm
  • Tinggi:21,08 mm
  • Dimensi:16,26 x 5,3 x 21,08mm
  • Suhu Operasi Minimum:-55 ° C
  • KODE No.:842-7894
  •  
Perintah No. 64-1503-33
Model No. NGTB35N60FL2WG
Harga standar JPY: 1,020 USD: 6.40
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Kuantitas 1bag(2pieces)
  Dihentikan
Saham di Jepang -